摘要:

场效应管的基本类型?场效应管几种类型?场效应晶体管是典型的压控半导体器件，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、易于集成等特点，但容易被静电击穿。FET有三个引脚，分别是漏极(D)、源极(S)和栅极(G)。在电路图中，场效应管是用特殊的图形符号和电路标记来体现的。电气电路图中FET的标识通常分为两部分，一部分是图形符号，标识F

场效应晶体管是典型的压控半导体器件，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、易于集成等特点，但容易被静电击穿。

FET有三个引脚，分别是漏极(D)、源极(S)和栅极(G)。在电路图中，场效应管是用特殊的图形符号和电路标记来体现的。电气电路图中FET的标识通常分为两部分，一部分是图形符号，标识FET的类型，另一部分是字母数字，标识电路中FET的序号和型号。

从图中可以看出，图形符号反映了FET的基本类型；从引线图形符号的两端延伸并与电路图中的电路线连通以形成电子电路；电路标识通常提供参数信息，如FET的类型、名称、序列号和型号。

在实际应用中，场效应晶体管的类型多种多样，对应的图形符号也各不相同。因此，了解不同类型场效应晶体管的图形符号对于阅读电路图是很重要的。常见FET的图形符号和形状如表所示。

结型FET是通过在N型(或P型)半导体材料的两侧制作P型(或N型)区域而形成的，从而形成PN结。

连接到中间半导体的两个电极被称为漏极(用D表示)和源极(用S表示)，而连接两个半导体引线的电极被称为栅极Gat(用G表示)。

结型FET利用沟道两侧耗尽层的宽度来改变沟道的电导率，从而控制漏极电流。

绝缘场效应晶体管(MOS)由金属、氧化物和半导体材料制成，通常简称为MOS FET。绝缘FET利用感应电荷量来改变沟道导电性，从而控制漏极电流。它与结型场效应晶体管的形状相同，但型号标记不同。

MOS FET一般用于音频功率放大、开关电源、逆变器、功率变换器、镇流器、充电器、电机驱动、继电器驱动等电路。

读电路时，可以根据其电路符号读出电路中FET的类型，然后通过电路符号旁边的识别信息学习FET的类型及其连接关系等辅助信息，这是完成读图的第一步。下图显示了典型无线电高频放大器电路中FET的符号标识。

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“在电路中，表示绝缘栅N沟道FET，“VT1”表示电路中绝缘栅FET的名称和编号，“2SK8439D”表示绝缘栅FET的型号。